15/11/01
Toshiba и SanDisk представили NAND Flash Memory Chip емкостью 1Гбит, что позволит в будущем удвоить емкость микросхем памяти, основаннных на Flash-технологии.

12 ноября в Лас-Вегасе (США) и Токио (Япония) SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) и Toshiba Corporation совместно представили первую в мире коммерческую NAND микросхему флеш-памяти нового поколения емкостью 1 Гбит (1024 Мбит), которая позволяет удвоить объем памяти в устройствах, производимых этими двумя компаниями. Новая микросхема емкостью 1Гбит будет выпускаться по той же 0,16 микронной технологии, которая сейчас используется для производства NAND 512 Мбит. Она основана на патентованной мультиуровневой сотовой технологии (МУС), которая была впервые применена SanDisk, и позволяет хранить 2 бита данных в одной ячейке памяти, таким образом удваивая емкость. Такое внедрение NAND МУСТ флеш рассматривается обеими компаниями как решающий шаг для увеличения прибыли, за счет расширения существующих рынков и захвата новых.

Две матрицы 1 ГБ также могут быть соединены в единичный пакет TSOP (Thin Small Outline Package) для производства 2 Гбит или 256 МБ памяти. Использование технологии МУСТ, как для встраиваемых, так и для съемных чипов, может очень сильно расширить возможность хранения данных в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3 аудио-плейерах, потокового аудио и потокового видео. Обе компании проводят независимую маркетинговую политику по продвижению своих продуктов. Как ожидается, новые карты CompactFlash, MultiMediaCard и Secure Digital, базирующиеся на 1 ГБит чипах флеш-памяти начнут производится в первой половине 2002. 5 ноября 2001 года SanDisk представила CompactFlash карту емкостью 1ГБит, первое устройство, использующий 1ГБит NAND, МУС-технологию.

Takeshi Nakagawa, исполнительный директор компании Toshiba Semiconductor, заявил: “Сотрудничество с SanDisk принесет нам желанный успех на рынке NAND флеш памяти. Благодаря использованию гигабитной МУС-технологии, мы сделали значительный шаг по направлению к ключевой составляющей стратегии нашего бизнесса на рынке флеш-технологий: обеспечить высочайшую емкость флеш-памяти при наиболее низкой цене за один бит на рынке. Эти NAND флеш-устройства быстро удовлетворяют требованиям для встроенной памяти так же как и другие флеш-карты. Очень приятно представить результаты, полученные ценой совместных усилий Toshiba и SanDisk.

Eli Harari, исполнительный директор и президент компании SanDisk, заметил: “Эта анонсирование представляет технологический прорыв и большое достижение для многих работников Toshiba и SanDisk, которые совместно работали над этим проектом в течении многих месяцев. Мультиуровневая сотовая технология должна обеспечить как SanDisk, так и Toshiba очень конкурентоспособной продукцией. Toshiba, с ее прекрасными технологическими и производственными возможностями, доказала свое право быть стратегическим партнером компании SanDisk в нашем непрерывном стремлении ускорить технологические процессы и расширить рынки для наших устройств хранения данных в ближайшие годы.

Микросхемы памяти NAND емкостью 1 Гбит будут производится обеими компаниями по 0,16 микронной технологии на заводе Toshiba в Yokkaichi, Япония, и на заводе Dominion Semiconductor в Вирджинии на совместном предприятии FlashVision, основанной Toshiba and SanDisk. Компании собираются применить мультиуровневую сотовую технологию как для чипов емкостью меньше 1Гбит, так и для будущих чипов емкостью больше 1 Гбит.

О корпорации Toshiba
Toshiba Corp. является лидером в производстве информационных и коммуникационных систем, электронных компонентов, потребительских продуктов, и систем энергообеспечения. В Toshiba работает около 188 тысяч служащих по всему миру, и ежегодные продажи превышают 47 миллиардов долларов США. Официальный сайт Toshiba: http://www.toshiba.co.jp