10/09/02
SanDisk и Toshiba представляют устройство следующего поколения - NAND Flash память емкостью 1 Гигабит, основанной на 0,13-микронной технологии.

Как ожидается, новое устройство должно значительно увеличить способность к хранению данных в потребительских и промышленных продуктах

SUNNYVALE и IRVINE, Калифорния, 10 сентября 2002 года - компания SanDisk Corp. (NASDAQ: SNDK) и Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) сегодня представили чип NAND flash-памяти следующего поколения емкостью 1 Гб, произведенный с использованием продвинутой 0,13-микронной технологии.

1-гигабитное NAND-flash устройство может быть использовано в качестве IC-компонента для встроенных приложений или в съемных картах памяти. Производство запоминающих устройств с новой картой памяти запланировано на начало первого квартала 2003 года. В дополнение к 1-гигабитному TSOP-продукту, другие производные 0,13-микронного продукта будут развиваться в грядущие месяцы, включая модели емкостью 512 Мб, 256 Мб и 128 Мб.

"Совместные усилия технологий Toshiba/SanDisk привели к появлению полного ряда продуктов flash-памяти, включая как бинарную NAND, так и мультиуровневую (MLC - Multi-Level Cell) NAND flash," - заявил Naohisa Sano, вице-президент бизнес-подразделения TAEC. "МЫ довольны нашей новой технологией, разработанной совместно с SanDisk и теперь представляем первенца из нового семейства 0,13-микронных устройство NAND-flash. Это большая честь анонсировать первый успешный этап."

Sanjay Mehrotra, исполнительный директор и вице-президент компании SanDisk, сказал: "Этот анонс представляет близкие отношения между SanDisk и Toshiba, так как мы продолжаем развивать технологии и продукты, которые идут навстречу или даже превышают рыночные требования в условиях плотности, производительности, стоимости и надежности. Toshiba, с ее великолепными технологиями и производственными мощностями доказала свое право быть стратегическим и наиболее значимым партнером SanDisk в нашем непрерывном поиске возможностей ускорения процесса разработки flash-технологий и расширении рынка для наших устройств хранения на flash-памяти."

SanDisk и TAEC будут независимо продвигать на рынок новые чипы своим заказчикам. Чип flash-памяти емкостью 1 Гб, как ожидается, расширит емкость памяти потребительских устройств, таких как мобильные телефоны, цифровые камеры, цифровые аудиоплейеры, цифровое видео, а также в промышленных устройствах. В дополнение к устройству NAND flash емкостью 1 Гб, этот чип также будет использоваться в продукции CompactFlash® SanDisk и Toshiba.

1-гигабитные чипы NAND-памяти будут производиться для обеих компаний на производственных мощностях завода Toshiba Corporation в городе Yokkaichi, (Япония) по условиям совместного предприятия FlashVision, учрежденного компаниями Toshiba Corporation и SanDisk.

О TAEC
Комбинируя качество и гибкость с мастерством конструкторов и инженеров, TAEC поставляет своим потребителям всю широту технологий следующего поколения. Широкий диапазон предложений включает полупроводники, устройства на flash-памяти, оптические коммуникационные устройства, дисплеи и аккумуляторы для компьютерного, беспроводного, сетевого, автомобильного потребительского рынка.

TAEC является независимой коммерческой компанией, которой владеет компания Toshiba America, Inc., филиал Toshiba Corporation, второго по величине производителя полупроводников в условиях глобальных продаж на 2001 год в соответствии с рыночными исследованиями Gartner/Dataquest. Toshiba является мировым лидером в производстве высокотехнологичной продукции с более чем 300 крупными дочерними компаниями и филиалами по всему миру. Более подробную информацию вы сможете найти на web-сайте TAEC: chips.toshiba.com