SanDisk анонсирует первую в мире высокоэффективную технологию флеш-памяти 4-бита-в-ячейке (X4)

Самый высокий объем флеш-памяти – позволяет разместить 64 Гбита на одном чипе
Поддерживает высокое быстродействие вместе с существующей сегодня технологией MLC
Производство чипов 64 Гбит Х4, основанное на разработанной компанией SanDisk технологии 43 нм, запланировано на первую половину 2009 года

Опираясь на свое лидерство в технологиях многоуровневых ячеек, компания SanDisk Corporation сегодня объявила о начале массового производства первых в мире чипов высокопродуктивной флеш-памяти 4-бита-в-ячейке (4-bits-per-cell) (X4). Благодаря использованию 43-нанометровому (нм) технологическому процессу и революционной технологии X4 компания сможет создавать 64-гигабитную (Гбит) память на одном кристалле – это самая высокая емкость в индустрии, которую можно применять для приложений, наиболее требовательных к объемам памяти. SanDisk также выпустила усовершенствованный контроллер Х4, который необходим для эффективного управления качественными характеристиками и производительностью памяти Х4. Микросхема памяти интегрирована с чипом контроллера Х4 в одном мультичиповом модуле (Multi-Chip Package, MCP), что позволяет предоставить завершенное, комбинированное и низкозатратное решение для хранения данных.

«Разработка памяти Х4 и контроллерной технологии является основной вехой для разработки хранилищ на флеш-памяти, которая обеспечит весомую и долгосрочную прибыль для SanDisk и сыграет важнейшую роль в будущем масштабировании NAND-flash-памяти, — отметил Хандкер Куадер (Khandker Quader), старший вице-президент по технологиям памяти и разработке продуктов в компании SanDisk. — Кристалл 64 Гбит Х4 – это результат многочисленных ключевых новаторских решений, который демонстрирует лидерство SanDisk в запуске мультибитовой флеш-памяти с показателями быстродействия и стоимостью, которые оптимальны для приложений, требующих большой емкости хранения, например, таких как музыка, кино, фотографии, системы GPS, игры и многое другое».

Революционное достижение в области флеш-памяти Х4

SanDisk разработала 64-гигабитную микросхему флеш-памяти Х4 на базе 43-нанометровой технологии совместно с Toshiba Corporation, которая сотрудничает с SanDisk в проектировании и изготовлении усовершенствованной флеш-памяти. Новая микросхема 43 нм 64 Гбит является кристаллом флеш-памяти с наибольшей емкостью и самой высокой плотностью в мире, которая начнет производиться в этом году. Новинка отличается скоростью записи 7,8 МБ/с, что сопоставимо с современными технологиями многоуровневых ячеек. Запатентованная компанией SanDisk архитектура All-Bit-Line (ABL), а также недавно представленные трехступенчатое программирование (Three-Step Programming, TSP) и последовательная концепция считывания (Sequential Sense Concept, SSC) служат в качестве основных факторов, обеспечивающих впечатляющую продуктивность Х4.

Контроллерная технология Х4 является ключевым достижением

SanDisk создала целый ряд инновационных решений для продвинутой системы управления, которая направлена на решение трудностей, связанных с комбинированной технологией 4-bits-per-cell. Контроллер Х4, разработанный и принадлежащий компании SanDisk, использует первую в своем роде схему кода коррекции ошибок (ЕСС), спроектированную конкретно для применения в системах хранилищ и специально адаптированную для поддержки 16 уровней распределения, необходимых для технологии 4-bits-per-cell.

«При производстве продуктов по технологии 4-bits-per-cell, обладающих высокой продуктивностью и низкой стоимостью, компания неизбежно сталкивается с различными трудностями, которые требуют для своего решения передовых новаторских решений системного уровня в многоуровневом хранилище, — заявил Менаем Лассер (Menahem Lasser), вице-президент по перспективным технологиям и инновациям SanDisk. — Наша контроллерная технология Х4 со схемами управления памятью и обработки сигналов играет решающую роль в удовлетворении специфических требований памяти 4-bits-per-cell и демонстрирует способность компании SanDisk разрабатывать концепцию и создавать сложные современные решения на флеш-памяти».

Сегодня на 2009 Международной конференции по интегральным схемам (ISSCC) компании SanDisk и Toshiba представили технический доклад, описывающий ключевые технологические продвижения, которые привели к разработке 64-гигабитной 4-bits-per-cell NAND флеш-памяти на базе 43-нанометрового технологического узла. Этот анонс был сделан спустя год после объявленной SanDisk технологии Х3 (3-бита-в-ячейке NAND) на конференции 2008 ISSCC, которая впоследствии была отмечена наградой ISSCC 2009 Lewis Winner Outstanding Paper Award.

Комментарии:

Комментариев - нет

Имя:

Ваш комментарий:

		Проверочный код:

		Обновить картинку		[ Ctrl + Enter ]