09.02.09 SanDisk получает престижную награду на международной конференции Solid State Circuits 2009

Корпорация SanDisk сегодня сообщила о получении награды Lewis Winner Outstanding Paper Award на международной конференции по интегральным микросхемам IEEE International Solid State Circuits Conference 2009 (ISSCC), которая проходила 8-12 февраля в отеле Marriot в Сан-Франциско. Награда была вручена Яну Ли (Yan Li), прочитавшему на прошлогодней конференции доклад под названием «A 16Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate», в котором были подробно изложены ключевые достижения, позволившие осуществить разработку памяти 3-бита-в-ячейке (X3) по 56-нанометровой технологии.

«От лица всей команды SanDisk я заявляю, что очень рад получить эту престижную награду в знак признания нашей успешной разработки технологии 3-bit-per-cell, — прокомментировал Ян Ли (Yan Li), главный конструктор в компании SanDisk. — Используя запатентованную архитектуру All Bit Line (ABL) с улучшенными специализированными программными алгоритмами и многоуровневыми схемами управления хранилищем данных, мы создали микросхему флеш-памяти X3 NAND, не снизив при этом быстродействие или надежность».

«Многоуровневая конструкция флеш-памяти является сложным предметом, в особенности, когда это касается достижения высокой скорости записи. Этот выдающийся доклад описывает безусловный прогресс в комбинировании высокого уровня и большой скорости, позволяя достигать 3 бит в ячейке со скоростью 8 МБ/с», — сообщил др. Кеннет С. Смит (Dr. Kenneth C. Smith), председатель совета ISSCC Awards.

SanDisk разработала технологию 3-бита-в-ячейке совместно со своим партнером по технологиям и производству памяти компанией Toshiba. Технология Х3 позволяет добиться высокой эффективности производства и более низкой стоимости кристалла, в то же время, поддерживая быстродействие и надежность, присущие стандартным чипам многоуровневых ячеек.

Комментариев - нет