SanDisk вместе с Toshiba начинают производство 56-нанометровой 16-гигабитной NAND-flash-памяти.

29 января 2007 корпорация SanDisk сообщает о планах внедрить выпуск следующего поколения NAND-flash-памяти уже в этом квартале. В данный момент осуществляется переход с 70-нанометрового на 56-нанометровую технологию производства flash-памяти по принципу многоуровневых элементов (MLC). Выпуск продукции будет налажен на заводе Fab 3, оснащенном оборудованием по выпуску 300-миллиметровых кремниевых пластин, который находится на территории предприятия Toshiba Yokkaichi Operations возле города Нагоя, Япония. В первой половине 2007 года SanDisk намеревается начать поставки продукции с самой высокой в индустрии плотностью NAND-flash-памяти.

После оценки ограниченной партии инженерных образов, SanDisk планирует представить 8-гигабитный (1 гигабайт) чип flash-памяти MLC NAND, выполненной по 56-нанометровому процессу в первом квартале. Во втором квартале 2007 года компания надеется представить 56-нанометровый чип NAND 16 гигабит (2 ГБ), в котором будет удвоена плотность памяти на одну микросхему в сравнении с 70-нанометровой технологией. Ожидается, что инженерные инновации и повышенная эффективность программирования в 56-нанометровой технологии повысят производительность продукции. Переход на 56-нанометровый процесс позволяет компании SanDisk оставаться лидером в производстве прибыльных продуктов на flash-памяти.

«С переходом на 56-нанометровую технологию SanDisk представляет свое пятое поколение flash-памяти MLC NAND», — заявил доктор Рандир Такур (Dr. Randhir Thakur), исполнительный вице-президент SanDisk по технологиям и всемирным операциям. — «Технология и продвинутая конструкция позволит продуктам SanDisk обеспечить практически двойное увеличение скорости записи в сравнении с 70-нанометровым процессом. Мы рады совместной разработке 56-нанометровой продвинутой технологии вместе с Toshiba, и ожидаем, что она станет «рабочей лошадкой» на заводе Fab 3 в течение второй половины этого года. Мы работаем в соответствии с планом и продолжаем производить высокоэффективную flash-память для нашего расширяющегося диапазона продуктов потребления».

SanDisk и Toshiba совместно используют выпускаемую на оборудовании Yokkaichi продукцию и вместе разрабатывают различные технологии для flash-памяти MLC NAND. Новая 56-нанометровая flash-память будет первоначально производиться на заводе Fab 3, первом производстве 300-милиметровых кремниевых пластин, которые SanDisk и Toshiba откроют в 2005 году. Ожидается, что до конца года flash-чипы по 56-нанометровой технологии будут выпускаться на заводе Fab 4, новом строящемся производственном комплексе по выпуску 300-милиметровых кремниевых пластин, который принадлежит Flash Alliance, Ltd., совместному предприятию двух компаний.

Комментарии:

Комментариев - нет

Имя:

Ваш комментарий:

		Проверочный код:

		Обновить картинку		[ Ctrl + Enter ]