SanDisk и Toshiba начали строительство фабрики по производству 300 мм кремниевых пластин

Компании SanDisk® Corporation и Toshiba Corporation анонсировали, что в соответствие с определенными соглашениями, которые компании заключили до июля 2006, началось сооружение Fab 4, фабрики по производству 300-миллиметровой кремниевых пластин в Йокайчи, Япония.

Рынок NAND-флэш-памяти растет очень быстро благодаря широкому диапазону различных цифровых электронных продуктов, включая музыкальные плееры MP3, мобильные телефоны и несколько видов карт памяти. Toshiba и SanDisk запустили в работу современную фабрику по производству 300-миллиметровых пластин Fab 3 летом 2005 года, в Yokkaichi Operations, и повысили качество оборудования для удовлетворения рыночного спроса. Сегодняшний запуск строительства отображает потребность в новом производстве, параллельно с расширением Fab 3, с целью удовлетворения ожидаемого спроса на продукты NAND флэш-памяти в 2008 и далее.

Инвестиции в Fab 4 за последние два года (с апреля 2006 до марта 2008), как ожидается, достигнет 300 миллиардов иен. Toshiba будет финансировать строительство сооружения, а Flash Alliance, Ltd., новое совместное предприятие, созданное Toshiba и SanDisk для Fab 4, будет финансировать установку производственного оборудования. Полученная продукция будет поровну делиться между Toshiba и SanDisk.

Как ожидается, Fab 4 будет завершена в четвертом квартале 2007 года, с начальной производительностью 2500 пластин в месяц. Ожидается, что емкость 67500 пластин в месяц будет достигнута в четвертом квартале 2008 года. На момент запуска Fab 4 будет использовать 56-нанометровый технологический процесс с последующей миграцией к еще более микроскопической геометрии.

Для того, чтобы ограничить влияние стихийных бедствий на работу, Fab 4 будет использовать новейшую конструкцию, которая способна на две третьих уменьшить силу подземных толчков при землетрясении. Также будет развернуто сверхпроводящее электромагнитное энергетическое хранилище (SMES), которое разработано для мгновенного переключения при любых сбоях подачи электропитания, причиненных, например, вспышкой молнии. Это позволит предотвратить любое воздействие на производство.

Посредством сооружения Fab 4 Toshiba и SanDisk продолжат расширять производственные возможности. Комбинируя продвинутую процессную технологию и технологию мультиуровневых ячеек, это расширение, как ожидается, позволит компаниям и далее улучшать их конкурентную способность и лидерство на рынке NAND флэш-памяти.

[SanDisk]